合肥长鑫DRAM正式投片,国产存储跨出重要一步。
栏目:行业动态 发布时间:2018-12-11
国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。

国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展
的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。

动态随机存取存储器(DRAM)因为其应用的广泛性和重要性,是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。据IHS Markit数据,2017年全球DRAM市

场规模为722亿美元,较2016年增长74%。2020年全球存储器市场规模将达1000亿美元。目前全球存储市场几乎被三星、美光、海力士等五家厂商瓜分
,但国内几乎处于空白。业内认为,此次合肥长鑫DRAM正式投片,中国企业开始打破垄断,打造自主可控存储芯片,相关公司有望受益国产化进程。