受日本制裁,三星电子将提高NAND闪存价格,美光考虑跟进

栏目:行业动态 发布时间:2019-09-18

 据BusinessKorea报道,因受日本制裁,三星电子计划将NAND闪存价格提高10%,美光科技(Micron Technology)等其它公司可能也会效仿。
  报道称,东芝公司发生停电事故后,三星电子的供需状况有所改善。NAND闪存的库存已经降至四周,约为DRAM的一半,但需求出现上扬。BusinessKorea称,目前128Gb MLC的单价已经降至3.93美元,是2016年9月以来的历史最低价,加之外部因素影响导致的原材料短缺,NAND和DRAM的价格上涨已经呼之欲出。
  BusinessKorea表示,整个行业均受外部因素牵动,东芝已计划将其产能降低20%,依托东芝代工的西部数据也受到影响。不过,其援引业内人士观点称,价格上涨不会持续发生,全球半导体市场到2020年上半年将能恢复状态。
  与此同时,该行业第二大厂商东芝(Toshiba)在事故发生后将减产20%以上。不仅东芝,西数也在东芝的制造工厂生产NAND闪存。这起事故对三星电子和SK海力士的库存产生了重大影响,东芝和Western Digital在2018年的市场份额分别高达19.3%和15.3%。
  重要的是,在计划涨价之后,智能手机制造商和服务器公司是否会继续增加需求。业内人士指出,全球半导体行业要到明年上半年才可能复苏,这意味着目前的价格上涨趋势不太可能持续下去。相反,提价计划反映出NAND闪存制造商的绝望,除了三星电子, NAND闪存制造商都出现了亏损。