东芝发布UFS 3.0闪存芯片 2.9GB/s读写速度比肩SSD
栏目:行业动态 发布时间:2019-09-30

如今UFS 2.1闪存已经成为旗舰机的标配,不过考虑到人们对速度的极致追求,这一标准显然不够。近日东芝正式宣布,全新的UFS 3.0标准闪存已经试产成功,未来东芝将推出128GB、256GB、512GB等规格的UFS 3.0闪存芯片,为移动终端带来更优秀的体验。

  据东芝官方称,全新的UFS 3.0闪存基于96层堆叠BiCS4 3D TLC闪存技术打造而成,芯片主控由东芝自主研发。得益于双通道的设计,这款闪存芯片的传输速度高达23.2Gbps,换算下来即2.9GB/s。东芝官方使用512GB版本实测后,UFS 3.0闪存的顺序读写速度分别提高了约70%、80%,这一速度已经将UFS 2.1远远甩在身后。

  东芝表示,128GB版UFS 3.0闪存已经在近期开始出货,而256GB与512GB版本也将在3月之后推出,可见今年会有大批旗舰手机搭载UFS 3.0闪存,相信这些手机在读写速度上也会有大幅度的提升。