长江存储发布严正声明,回应产能传闻
栏目:行业动态 发布时间:2021-01-14

日前,有媒体报道称,消息人士透露,长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆,并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片,不过为确保量产芯片质量,该计划有可能会被推迟至今年下半年。

对此,1月13日,长江存储官方微信号发布声明进行回应。

近日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”或“我司”)发现个别境外媒体通过多种渠道刊登、散布关于我司产能建设、产品销售等不实言论,长江存储特此发表严正声明:

长江存储自2016年7月成立至今,始终秉承守法合规的经营理念,在国内外各项实际工作中,长江存储严格遵守当地的法律法规,所提供的产品与服务面向商用及民用客户。关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。

长江存储将保留对发布不实报道与言论的境内外个别媒体和记者,以及转发或协助散播不实报道的组织或个人依法追究法律责任的权利。

图片来源:长江存储

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长江存储3D NAND进展

资料显示,2016年7月,长江存储由紫光集团联合大基金等共同出资成立,为国家存储器基地项目的实施主体。2016年12月,长江存储一期工厂正式破土动工;2017年9月,长江存储一期工厂实现提前封顶,同年10月,长江存储在武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上,通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。

从技术开发的时间点来看,2017年7月,长江存储32层3D NAND闪存设计完成;2017年11月,长江存储32层3D NAND闪存实现首次流片。2018年4月,长江存储生产机台进场安装,项目进入量产准备阶段;2018年第三季度,长江存储32层3D NAND闪存实现量产。

在量产32层3D NAND闪存的同时,长江存储也在加速64层3D NAND闪存开发进度。2018年8月,长江存储64层3D NAND闪存实现首次流片,同时推出其全新NAND架构Xtacking。

2019年9月,长江存储宣布正式量产基于Xtacking?架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,这是中国首款64层3D NAND闪存,亦是全球首款基于Xtacking?架构设计并实现量产的闪存产品。

2020年4月,长江存储正式宣布,其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证,还同时发布了128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片。