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B1D02065K

型号 B1D02065K
封装 TO-220-2
正向电流(If) 2A(mA)
反向重复电压(Vrrm) 650V(V)
正向电压(Vf) 1.4V
正向浪涌电流(Ifsm) 16A
反向电流(Ir) 1A

B1D02065E

型号 B1D02065E
封装 TO-252-2
正向电流(If) 2A(mA)
反向重复电压(Vrrm) 650V(V)
正向电压(Vf) 1.4V
正向浪涌电流(Ifsm) 16A
反向电流(Ir) 1A
工作温度范围 -55°C ~ 175°C
应用领域 新能源

MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E镁光FLASH-NAND存储ic芯片

MT52L256M32D1PF-107WT:B

MT52L256M32D1PF-107WT:B(D9SRZ)镁光LPDDR3存储ic芯片

MT52L512M32D2PF-107WT:B

MT52L512M32D2PF-107WT:B(D9SSF)镁光LPDDR3存储ic芯片

MT53E256M32D2DS-053WT:B

MT53E256M32D2DS-053 WT:B MICRON/镁光 存储器 LPDDR4 8GB

H5TQ4G63AFR-TEC

描述 DDR3
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC

NT5CB64M16FP-DH

NT5CB64M16FP-DH DDR3 1Gbit 128M内存芯片64*16