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TC58BVG0S3HTA00
制造商 Toshiba
产品种类 NAND闪存
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-48
存储容量 1 Gbit
接口类型 Parallel
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大 3.6 V
最小工作温度 0 C
最大工作温度 + 70 C
封装 Tray
存储类型 NAND
商标 Toshiba Memory
湿度敏感性 Yes
产品类型 NAND Flash
工厂包装数量 96
子类别 Memory & Data Storage
产品种类 NAND闪存
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-48
存储容量 1 Gbit
接口类型 Parallel
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大 3.6 V
最小工作温度 0 C
最大工作温度 + 70 C
封装 Tray
存储类型 NAND
商标 Toshiba Memory
湿度敏感性 Yes
产品类型 NAND Flash
工厂包装数量 96
子类别 Memory & Data Storage
THGAMRG8T13BAIL
THGAMRG8T13BAIL 32GB
描述 e-MMC版本 5.1
容量 32 gb
最大数据速率(MB / s) 400(MB/s
工作温度(℃) -25-85 -25-85
封装/规格 P-WFBGA-153
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: THGAM
配置: TLC
单位重量: 170 mg
描述 e-MMC版本 5.1
容量 32 gb
最大数据速率(MB / s) 400(MB/s
工作温度(℃) -25-85 -25-85
封装/规格 P-WFBGA-153
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: THGAM
配置: TLC
单位重量: 170 mg
SGM8100C-S36BDG
得一微128GB
SGM8100C-S26BBG
得一微32GB
MTFC64GAPALBH-IT
产品种类: eMMC
系列: MTFC
存储容量: 512 GB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: MTFC
存储容量: 512 GB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
KLUEGAJ1ZD-B0CP
KLUEGAJ1ZD-B0CP053
版本
UFS 2.1
容量
256 GB
工作电压
1.8 / 3.3 V
封装尺寸
11.5 x 13 x 1.72 mm
工作温度
-40 ~ 85 °C
版本
UFS 2.1
容量
256 GB
工作电压
1.8 / 3.3 V
封装尺寸
11.5 x 13 x 1.72 mm
工作温度
-40 ~ 85 °C
K4A4G165WF-BITD
K4A4G165WF-BITD000
256*16，（4Gb）,速率2666Mbps,1.2V电压，96FBGA
256*16，（4Gb）,速率2666Mbps,1.2V电压，96FBGA
镁光DDR3 128M MT41K64M16TW-107 IT:J
镁光DDR3 128M MT41K64M16TW-107 IT:J
镁光DDR3 1GB MT41K512M16VRP-107 IT:P
镁光DDR3 1GB MT41K512M16VRP-107 IT:P
镁光DDR2 128M MT47H64M16NF-25EIT:M
镁光DDR2 128M MT47H64M16NF-25EIT:M
MT47H64M16NF-25E:M
镁光DDR2 128M MT47H64M16NF-25E:M
镁光DDR2 64M MT47H32M16NF-25E IT:H
镁光DDR2 64M MT47H32M16NF-25E IT:H