中文
|
English
首页
公司简介
新闻资讯
返回
公司新闻
行业动态
产品中心
返回
DRAM
返回
SAMSUNG(三星)
返回
SKHYNIX(现代/海力士)
返回
MICRON(镁光)
返回
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
返回
EMMC
返回
UFS
MCP
FLASH
下载中心
返回
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
联系我们
返回
在线留言
首页
公司简介
新闻资讯
返回
公司新闻
行业动态
产品中心
返回
DRAM
返回
SAMSUNG(三星)
返回
SKHYNIX(现代/海力士)
返回
MICRON(镁光)
返回
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
返回
EMMC
返回
UFS
MCP
FLASH
下载中心
返回
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
联系我们
返回
在线留言
中文
|
English
none
none
none
产品中心
>
SAMSUNG(三星)
>
K4A4G085WE-BIRC
1
K4A4G085WE-BIRC
产品详细
料号
容量
架构
速率
工作电压
工作温度
封装
产品状态
K4A4G085WE-BIRC
4 Gb
512M x 8
2400 Mbps
1.2 V
-40 ~ 95 °C
78FBGA
批量生产
上一个:
K4A4G085WE-BITD
下一个:
K4A4G085WE-BCTD