中文
|
English
HOME
About us
News
Return
Company news
Industry dynamic
Product
Return
DRAM
Return
SAMSUNG(三星)
Return
SKHYNIX(现代/海力士)
Return
MICRON(镁光)
Return
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
Return
EMMC
Return
UFS
MCP
FLASH
闪迪
NANYA/南亞
Download center
Return
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
Contact us
Return
Online
HOME
About us
News
Return
Company news
Industry dynamic
Product
Return
DRAM
Return
SAMSUNG(三星)
Return
SKHYNIX(现代/海力士)
Return
MICRON(镁光)
Return
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
Return
EMMC
Return
UFS
MCP
FLASH
闪迪
NANYA/南亞
Download center
Return
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
Contact us
Return
Online
中文
|
English
K4B4G1646E-BYK0
Product
>
DDR3
>
K4B4G1646E-BYK0
1
K4B4G1646E-BYK0
SAMSUNG(三星) 内存颗粒
容量:4Gbit/256*16
应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
电压:
1.5v
频率:
1600
封装:
BGA96
产品详细
Previous:
K4B4G1646E-BCMA
Next:
KLMAG1JENB-B041