您当前的位置:  产品中心 > DRAM

H5TQ4G63CFR-RDC

SKHYNIX(现代/海力士) 内存颗粒
容量:4Gbit/256*16
应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT

K4B4G1646E-BCMA

SAMSUNG(三星) 内存颗粒
容量:4Gbit/256*16
应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT

K4B4G1646E-BYK0

SAMSUNG(三星) 内存颗粒
容量:4Gbit/256*16
应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT

KLMAG1JENB-B041

SAMSUNG(三星) 存储颗粒
容量:16GB
应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT、伺服器、
车载导航、消费电子

M378A1K43BB2-CTD

DDR 四代双倍数据率同步动态随机存储器 DIMM 类型 UDIMM
容量 8 GB 内存区块组织 1R x 8
速率 2666 Mbps 工作电压 1.2 V
针脚数目 288

M471A2K43EB1-CTD

DDR 四代双倍数据率同步动态随机存储器 DIMM 类型 SODIMM
容量 16 GB 内存区块组织 2R x 8
速率 2666 Mbps 工作电压 1.2 V

M471A1K43EB1-CTD

SODIMM
DDR 四代双倍数据率同步动态随机存储器 DIMM 类型 SODIMM
容量 8 GB 内存区块组织 1R x 8
速率 2666 Mbps 工作电压 1.2 V

K4Z80325BC-HC14

制造商IC编号 K4Z80325BC-HC14
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR6 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR6
共通IC编号 K4Z80325BC-HC14000
K4Z80325BC-HC14T00
K4Z80325BC-HC14T
产品详情
脚位/封装 FBGA-180
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35v
温度规格 0°C~+85°C
速度 14 GB/S

K4G80325FC-HC25

制造商IC编号 K4G80325FC-HC25
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR5 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR5
共通IC编号 K4G80325FC-HC25T00
K4G80325FC-HC25000
产品详情
脚位/封装 FBGA-170
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V/1.5V
温度规格 0°C~+85°C
速度 8.0 GBPS

KLMEG8UCTA-B041

制造商IC编号 KLMEG8UCTA-B041
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 256GB EMMC
产品详情
脚位/封装 FBGA-153
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8V/3.3V
温度规格 -25°C~+85°C

KLMDG4UCTA-B041

EMMC 128G

KLMCG2UCTA-B041

KLMCG2UCTA-B041
emmc 64GB