中文
|
English
首页
公司简介
新闻资讯
返回
公司新闻
行业动态
产品中心
返回
DRAM
返回
SAMSUNG(三星)
返回
SKHYNIX(现代/海力士)
返回
MICRON(镁光)
返回
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
返回
EMMC
返回
UFS
MCP
FLASH
下载中心
返回
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
联系我们
返回
在线留言
首页
公司简介
新闻资讯
返回
公司新闻
行业动态
产品中心
返回
DRAM
返回
SAMSUNG(三星)
返回
SKHYNIX(现代/海力士)
返回
MICRON(镁光)
返回
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
返回
EMMC
返回
UFS
MCP
FLASH
下载中心
返回
三星 samsung
现代 SKHYNIX
镁光 micron
东芝 toshiba
力积 zentel
南亚 nanya
联系我们
返回
在线留言
中文
|
English
none
none
none
产品中心
DRAM
SAMSUNG(三星)
DDR3
DDR4
LPDDR3
LPDDR4
SKHYNIX(现代/海力士)
DDR3
DDR4
LPDDR3
LPDDR4
MICRON(镁光)
DDR3
ZENTEL(力积)
SSD
eSTORAGE
EMMC
SAMSUNG(三星)
TOSHIBA(东芝)
UFS
MCP
FLASH
您当前的位置:
产品中心
>
DRAM
>
SAMSUNG(三星)
搜索
K4B4G1646E-BCMA
SAMSUNG(三星) 内存颗粒 容量:4Gbit/256*16 应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
K4B4G1646E-BYK0
SAMSUNG(三星) 内存颗粒 容量:4Gbit/256*16 应用:广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
K4E6E304EB-EGCF
SAMSUNG(三星) LPDDR3 16Gbit/512*32 频率:1866
K4B8G1646D-MYK0
SAMSUNG(三星) DDR3 8Gbit/512*16 频率:1600
K4B4G1646D-BCK0
SAMSUNG(三星) DDR3 4Gbit/256*16 频率:1600
K4B2G1646F-BYK0
SAMSUNG(三星) DDR3 2Gbit/128*16 频率: 1600
K4B2G1646F-BCMA
SAMSUNG(三星) DDR3 2Gbit/128*16 频率:1866
K4E8E304EB-EGCF
SAMSUNG(三星): LPDDR3/8Gbit/256*32 封装:BGA178
K4B2G1646F-BYMA
三星DDR3:2Gbit/128*16
KLM8G1GEME-B041