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K4B4G1646E-BCMA
SAMSUNG(三星） 内存颗粒
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
K4B4G1646E-BYK0
SAMSUNG(三星） 内存颗粒
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
K4Z80325BC-HC14
制造商IC编号 K4Z80325BC-HC14
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR6 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR6
共通IC编号 K4Z80325BC-HC14000
K4Z80325BC-HC14T00
K4Z80325BC-HC14T
产品详情
脚位/封装 FBGA-180
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35v
温度规格 0°C~+85°C
速度 14 GB/S
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR6 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR6
共通IC编号 K4Z80325BC-HC14000
K4Z80325BC-HC14T00
K4Z80325BC-HC14T
产品详情
脚位/封装 FBGA-180
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35v
温度规格 0°C~+85°C
速度 14 GB/S
K4G80325FC-HC25
制造商IC编号 K4G80325FC-HC25
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR5 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR5
共通IC编号 K4G80325FC-HC25T00
K4G80325FC-HC25000
产品详情
脚位/封装 FBGA-170
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V/1.5V
温度规格 0°C~+85°C
速度 8.0 GBPS
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR5 SDRAM
IC代码 256MX32 GDDR5
共通IC编号 K4G80325FC-HC25T00
K4G80325FC-HC25000
产品详情
脚位/封装 FBGA-170
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V/1.5V
温度规格 0°C~+85°C
速度 8.0 GBPS
KLMEG8UCTA-B041
制造商IC编号 KLMEG8UCTA-B041
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 256GB EMMC
产品详情
脚位/封装 FBGA-153
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8V/3.3V
温度规格 -25°C~+85°C
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 256GB EMMC
产品详情
脚位/封装 FBGA-153
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8V/3.3V
温度规格 -25°C~+85°C
KLMDG4UCTA-B041
EMMC 128G
KLMCG2UCTA-B041
KLMCG2UCTA-B041
emmc 64GB
emmc 64GB
KLMCG2UCTB-B041
64GB EMMC
SAMSUNG/三星
FBGA-153
SAMSUNG/三星
FBGA-153
K4A8G165WB-BCRC
K4A8G165WB-BCRC
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
512MX16 DDR4
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
512MX16 DDR4
K4B4G1646E-BYMA
K4B4G1646E-BYMA
SAMSUNG/三星
DDR3L SDRAM
256MX16 DDR3L
SAMSUNG/三星
DDR3L SDRAM
256MX16 DDR3L
KLM8G1GESD-B04P
KLM8G1GESD-B04P
SAMSUNG/三星
FLASH-EMMC
8GB EMMC
SAMSUNG/三星
FLASH-EMMC
8GB EMMC
