中兴7nm芯片商用之际，中芯国际7nm制程“取得突破”

中兴7nm芯片商用之际，中芯(13.585, 0.82, 6.38%)国际7nm制程“取得突破”在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天，中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展。

10月11日，珠海市委机关报《珠海特区报》发布报道，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。
受此消息刺激，阴跌已久的中芯国际，今天A股和港股均大幅上涨，带动A股半导体概念纷纷飘红。
　截至发稿，中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14%，半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5%。

        中芯国际港股（左）和A股股价信息

关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露，该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

　　所谓成功流片，中科院半导体所相关人士向观察者网介绍，就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思。而要实现真正量产，器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验。

　　“国产版7nm芯片制造取得突破”

　　在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中，《珠海特区报》写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断，同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

　　事实上，流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片；反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。

　　中科院半导体所相关人士告诉观察者网：“在技术交付之前，会经历一个用户试用的阶段，分不同的情况，也许流片之后几个月或者几年才能真正实现量产。”

　　就在1个月前（9月18日），中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。”

　　虽然中芯国际从未证实，但外界一直猜测“N+1”就是该公司的7nm工艺。

　　今年2月，中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。

　　谈到具体数据，他透露，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%，所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

　　在此之前，中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机，用于下一代工艺制造，价值高达1.5亿美元，原计划在2019年初交付。但在美国政府阻扰之下，这项交易至今仍未完成。

　　对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑，梁孟松提到，在当下的计划中，N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备，等到设备就绪以后，N+2才会转而使用EUV设备。

　　福布斯中文网也在今年3月的报道中指出，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电(88.15, -0.45, -0.51%)路线差不多，7nm节点一共发展三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。

　　需要注意的是，目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家，IDM厂商英特尔(53.85, 0.30, 0.56%)10nm产品刚上市不久，7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着，中芯有望在制程上赶超英特尔。

今年二季度全球晶圆代工市场份额：台积电51.5%，三星18.8%；GlobalFoundries（格芯）7.4%，联电(5.41, -0.09, -1.64%)7.3%，中芯国际4.8%。数据来源：TrendForce