中兴7nm芯片商用之际,中芯国际7nm制程“取得突破”
栏目:行业动态 发布时间:2020-10-16

中兴7nm芯片商用之际,中芯(13.5850.826.38%)国际7nm制程“取得突破”在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天,中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展。

10月11日,珠海市委机关报《珠海特区报》发布报道,IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。
受此消息刺激,阴跌已久的中芯国际,今天A股和港股均大幅上涨,带动A股半导体概念纷纷飘红。
 截至发稿,中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14%,半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5%。
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        中芯国际港股(左)和A股股价信息

关于N+1工艺,中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露,该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似,且不需要EUV光刻机,但在性能方面提升还不够,所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

  所谓成功流片,中科院半导体所相关人士向观察者网介绍,就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思。而要实现真正量产,器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验。

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《珠海特区报》报道截图

  “国产版7nm芯片制造取得突破”

  在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中,《珠海特区报》写道:“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功,不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断,同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

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《珠海特区报》报道截图

  事实上,流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功,需要对芯片进行试生产,以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功,就可以大规模地量产芯片;反之,就需要找出其中的原因,并进行相应的优化设计。

  中科院半导体所相关人士告诉观察者网:“在技术交付之前,会经历一个用户试用的阶段,分不同的情况,也许流片之后几个月或者几年才能真正实现量产。”

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中芯国际官网截图

  就在1个月前(9月18日),中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露:“FinFET N+1已进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。”

  虽然中芯国际从未证实,但外界一直猜测“N+1”就是该公司的7nm工艺。

  今年2月,中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露,在功率和稳定性方面,N+1和7nm工艺非常相似,唯一区别在于性能方面,N+1工艺提升较小。

  谈到具体数据,他透露,中芯国际N+1工艺和14nm相比,性能提升20%,功耗降低57%,而7nm市场基准性能提升应该是35%,所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

  在此之前,中芯国际曾向荷兰阿斯麦(ASML)订购一台EUV光刻机,用于下一代工艺制造,价值高达1.5亿美元,原计划在2019年初交付。但在美国政府阻扰之下,这项交易至今仍未完成。

  对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑,梁孟松提到,在当下的计划中,N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备,等到设备就绪以后,N+2才会转而使用EUV设备。

  福布斯中文网也在今年3月的报道中指出,中芯国际的7nm工艺发展跟台积电(88.15-0.45-0.51%)路线差不多,7nm节点一共发展三种工艺,分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。

  需要注意的是,目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家,IDM厂商英特尔(53.850.300.56%)10nm产品刚上市不久,7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着,中芯有望在制程上赶超英特尔。

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今年二季度全球晶圆代工市场份额:台积电51.5%,三星18.8%;GlobalFoundries(格芯)7.4%,联电(5.41-0.09-1.64%)7.3%,中芯国际4.8%。数据来源:TrendForce