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H5TQ4G63EFR-RDC

DDR34GB
256M*16

MTFC8GAMALBH-AITTR

8GB EMMC
MICRON/美光
TFBGA-153
FLASH-EMMC

MT47H64M16NF-25EIT:MTR

MICRON/美光
DDR2 SDRAM
64MX16 DDR2

MTFC4GACAJCN-1MWTTR


脚位/封装 FBGA-153
外包装 TAPE ON REEL
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -25°C~+85°C
速度 52MHz
标准包装数量 1000

MT47H128M16RT-25EIT:CTR


Chipset Validation
N/A
Data Rate
DDR2-800
Density
2Gb
FBGA Code
D9MTJ
Op. Temp.
-40C to +95C
Part Status
Production
Product Longevity Program
No
Product Longevity Program Start Date
N/A
Width
x16

TC58CVG0S3HRAIJ

产品种类: NAND闪存
存储容量: 1 Gbit
接口类型: SPI
组织: 128 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 24 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
最大时钟频率: 133 MHz
单位重量: 120 mg

TC58BVG0S3HTA00

制造商 Toshiba
产品种类 NAND闪存
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-48
存储容量 1 Gbit
接口类型 Parallel
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大 3.6 V
最小工作温度 0 C
最大工作温度 + 70 C
封装 Tray
存储类型 NAND
商标 Toshiba Memory
湿度敏感性 Yes
产品类型 NAND Flash
工厂包装数量 96
子类别 Memory & Data Storage

THGAMRG8T13BAIL

THGAMRG8T13BAIL 32GB
描述  e-MMC版本   5.1
容量 32 gb
最大数据速率(MB / s) 400(MB/s
工作温度(℃)   -25-85  -25-85
封装/规格 P-WFBGA-153
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: THGAM
配置: TLC
单位重量: 170 mg

MTFC64GAPALBH-IT

产品种类: eMMC
系列: MTFC
存储容量: 512 GB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V

KLUEGAJ1ZD-B0CP

KLUEGAJ1ZD-B0CP053
版本
UFS 2.1

容量
256 GB

工作电压
1.8 / 3.3 V

封装尺寸
11.5 x 13 x 1.72 mm

工作温度
-40 ~ 85 °C