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K4E6E304ED-EGCG
容量 16 Gb 架构 x32
速率 2133 Mbps 工作电压 1.8 / 1.2 / 1.2 V
工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 178FBGA
速率 2133 Mbps 工作电压 1.8 / 1.2 / 1.2 V
工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 178FBGA
K4F2E3S4HM-MGCJ
品牌：Samsung
型号：K4F2E3S4HM-MGCJ
规格：12Gbit LPD4
封装：200ball
型号：K4F2E3S4HM-MGCJ
规格：12Gbit LPD4
封装：200ball
KLMDG4UCTB-B041
制造商IC编号 KLMDG4UCTB-B041
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 128GB EMMC
产品详情
脚位/封装
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.8V/3.3V
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 128GB EMMC
产品详情
脚位/封装
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.8V/3.3V
KLMBG2JETD-B041
32GB EMMC
SAMSUNG/三星
FBGA-153
FLASH-EMMC
SAMSUNG/三星
FBGA-153
FLASH-EMMC
K4A4G165WF-BCTD
K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
256MX16 DDR4
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
256MX16 DDR4
K4A4G165WE-BCTD
描述 四代双倍数据率同步动态随机存储器
存储技术 DDR4
容量 4 Gb
架构 256M x 16
速率 2666 Mbps
工作电压 1.2 V
工作温度 0 ~ 85 °C
封装 96FBGA
包装 托盘
存储技术 DDR4
容量 4 Gb
架构 256M x 16
速率 2666 Mbps
工作电压 1.2 V
工作温度 0 ~ 85 °C
封装 96FBGA
包装 托盘