受日本制裁，三星电子将提高NAND闪存价格，美光考虑跟进

　据BusinessKorea报道，因受日本制裁，三星电子计划将NAND闪存价格提高10%，美光科技(Micron Technology)等其它公司可能也会效仿。
　　报道称，东芝公司发生停电事故后，三星电子的供需状况有所改善。NAND闪存的库存已经降至四周，约为DRAM的一半，但需求出现上扬。BusinessKorea称，目前128Gb MLC的单价已经降至3.93美元，是2016年9月以来的历史最低价，加之外部因素影响导致的原材料短缺，NAND和DRAM的价格上涨已经呼之欲出。
　　BusinessKorea表示，整个行业均受外部因素牵动，东芝已计划将其产能降低20%，依托东芝代工的西部数据也受到影响。不过，其援引业内人士观点称，价格上涨不会持续发生，全球半导体市场到2020年上半年将能恢复状态。
　　与此同时，该行业第二大厂商东芝(Toshiba)在事故发生后将减产20%以上。不仅东芝，西数也在东芝的制造工厂生产NAND闪存。这起事故对三星电子和SK海力士的库存产生了重大影响，东芝和Western Digital在2018年的市场份额分别高达19.3%和15.3%。
　　重要的是，在计划涨价之后，智能手机制造商和服务器公司是否会继续增加需求。业内人士指出，全球半导体行业要到明年上半年才可能复苏，这意味着目前的价格上涨趋势不太可能持续下去。相反，提价计划反映出NAND闪存制造商的绝望，除了三星电子， NAND闪存制造商都出现了亏损。