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HN8T05BZGKX015
HN8T05BZGKX015 存储IC 海力士/hynix UFS3.1
512GB
512GB
HN8T15BZGKX016
HN8T15BZGKX016 存储IC 海力士/hynix UFS3.1
HN8T05DEHKX073
HN8T05DEHKX073 存储IC 海力士/hynix UFS3.1
128G
128G
HN8T25BZGKX017N
HN8T25BZGKX017 存储IC 海力士/hynix UFSP 512GB
H5TQ4G63CFR-RDC
SKHYNIX(现代/海力士） 内存颗粒
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
容量：4Gbit/256*16
应用：广电教育、医疗电子、智能家居、物联网IOT
H9HCNNNBKMALHR-NEE
H9HCNNNBKMALHR-NEE
2GB 同步固态存储器1866 MHz FBGA-200
2GB 同步固态存储器1866 MHz FBGA-200
MT52L512M32D2PF-107WT:B
MT52L512M32D2PF-107WT:B(D9SSF)镁光LPDDR3存储ic芯片
H5TQ4G63AFR-TEC
描述 DDR3
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC
K4W4G1646D-BC1A
DDR3 256M16位内存单颗512M
K4B1G1646E-HCH9
K4B1G1646E-HCH9 DDR3 64*16 FBGA封装
K4T51163QG-HCE6
32MX16 DDR2
SAMSUNG/三星
脚位/封装 FBGA-84
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0°C~+85°C
速度 333 MHZ
标准包装数量 1280
SAMSUNG/三星
脚位/封装 FBGA-84
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0°C~+85°C
速度 333 MHZ
标准包装数量 1280
H26M52103FMR
16GB EMMC
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-153
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40°C~+85°C
标准包装数量 1600
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-153
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40°C~+85°C
标准包装数量 1600