您当前的位置:  产品中心 > DRAM

HN8T05BZGKX015

HN8T05BZGKX015 存储IC 海力士/hynix UFS3.1
512GB

HN8T15BZGKX016

HN8T15BZGKX016 存储IC 海力士/hynix UFS3.1

HN8T05DEHKX073

HN8T05DEHKX073 存储IC 海力士/hynix UFS3.1
128G

HN8T25BZGKX017N

HN8T25BZGKX017 存储IC 海力士/hynix UFSP 512GB

K4A8G085WC-BCTD

三星DDR4 1GB K4A8G085WC-BCTD

K4F8E304HB-MGCH

三星LPDDR4 256*32 K4F8E304HB-MGCH
封装:BGA200,2000包装,应用:盒子,广告机,笔电,pos机等

K4E8E324EB-AGCF

三星LPDDR3 256*32 (168球) K4E8E324EB-AGCF
封装:BGA168,1280包装,应用:盒子,广告机,笔电,pos机等

NT6CL256T32BM-H2

南亚LPDDR3 256*32 NT6CL256T32BM-H2
封装:BGA178,1000包装,应用:盒子,广告机,笔电,pos机等

NT5CB512M8EQ-FL

南亚DDR3 512*8 NT5CB512M8EQ-FL
封装:BGA78,2000包装,应用:PON,盒子,工控,内存条等

无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0°C~+95°C
速度 1066 MHZ