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TC58CVG0S3HRAIJ
产品种类: NAND闪存
存储容量: 1 Gbit
接口类型: SPI
组织: 128 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 24 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
最大时钟频率: 133 MHz
单位重量: 120 mg
存储容量: 1 Gbit
接口类型: SPI
组织: 128 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 24 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
最大时钟频率: 133 MHz
单位重量: 120 mg
TC58BVG0S3HTA00
制造商 Toshiba
产品种类 NAND闪存
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-48
存储容量 1 Gbit
接口类型 Parallel
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大 3.6 V
最小工作温度 0 C
最大工作温度 + 70 C
封装 Tray
存储类型 NAND
商标 Toshiba Memory
湿度敏感性 Yes
产品类型 NAND Flash
工厂包装数量 96
子类别 Memory & Data Storage
产品种类 NAND闪存
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-48
存储容量 1 Gbit
接口类型 Parallel
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大 3.6 V
最小工作温度 0 C
最大工作温度 + 70 C
封装 Tray
存储类型 NAND
商标 Toshiba Memory
湿度敏感性 Yes
产品类型 NAND Flash
工厂包装数量 96
子类别 Memory & Data Storage
THGAMRG8T13BAIL
THGAMRG8T13BAIL 32GB
描述 e-MMC版本 5.1
容量 32 gb
最大数据速率(MB / s) 400(MB/s
工作温度(℃) -25-85 -25-85
封装/规格 P-WFBGA-153
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: THGAM
配置: TLC
单位重量: 170 mg
描述 e-MMC版本 5.1
容量 32 gb
最大数据速率(MB / s) 400(MB/s
工作温度(℃) -25-85 -25-85
封装/规格 P-WFBGA-153
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
系列: THGAM
配置: TLC
单位重量: 170 mg
