DRAM、NAND Flash合约价涨声乍起，群联、南亚科等营运好转

受到美中贸易战及日韩纷争等消息面影响，记忆体现货价8月中以来上冲下洗、明显震荡。但合约价却传出好消息，8月标准型DRAM合约价确定止跌，利基型合约价小涨，第四季有机会反弹，NAND Flash合约价8月则持平至小涨，9月及10月有续涨空间。法人认为在价格止稳看涨趋势下，群联、南亚科、华邦电等营运将大幅好转。
　　美国再对自中国进口的5,500亿美元商品加徵关税，加上日韩纷争悬而未决，韩国自日本进口的半导体关键材料恐要更长的审查时间，都直接对记忆体市场造成影响，现货价也出现较大幅度波动。其中，DRAM现货价在7月下旬急拉后，8月中旬以来回跌，NAND Flash现货价7月大涨后，8月至今亦维持缓跌格局。
　　就在现货价由涨转跌、导致市场趋于保守之际，合约价却传出止跌回升的好消息。标准型DRAM的8月合约价止跌，8GB DDR4模组价格介于25～26美元，与7月合约价持平。至于2Gb以上利基型DRAM的8月合约价意外上涨，平均涨幅约介于3～6％。法人认为合约价走势对南亚科、华邦电下半年营运有正面帮助。
　　由于国际DRAM大厂下半年都减少投片，且进入传统旺季后需求明显回升，包括英特尔及超微新平台推出带动标准型或伺服器DRAM需求，新手机提高行动式DRAM搭载容量，消费性电子旺季拉动利基型DRAM出货等。模组业者预期9月合约价将持平，10月后需求明显回温后，价格可望反弹。
　　NAND Flash合约价同样在8月止跌回稳，其中，SLC NAND合约价与7月持平，32GB以上MLC NAND合约价约上涨3％幅度，主要是受到日本东芝记忆体四日市厂区停电影响供给量。至于高容量3D NAND部份，在SK海力士及美光等大厂减产，及东芝停电事件影响，主要供应商不愿再降价出售，所以NAND晶圆（wafer）合约价8月持续上涨5％以内幅度，第三季NAND晶圆合约价可望较上季调涨10％左右。
　　NAND Flash下半年进入传统旺季，今年除了智慧型手机搭载容量上调至512GB，笔电用固态硬碟（SSD）搭载容量亦翻倍至512GB，至于伺服器或资料中心也开始採用全快闪SSD为储存装置。法人表示，下半年NAND Flash价格上涨加上出货增加，对群联营运将有明显助益。