铠侠将砸约184亿美元，提高3D NAND产能

据《日刊工业新闻》报道称，铠侠(Kioxia)估计将投资高达约2兆日圆（约183.7亿美元），加码投资助力提高3D NAND生产。

据悉，铠侠计划在日本岩手县北上市新建K2工厂，估计其规模可能将是K1厂房的2倍，计划2023年开始营运。目前铠侠已对邻近K1东侧及北侧约15万平方公尺的土地进行土地工程，除了投资K2厂房、设施，也含设备补充四日市工厂的费用。此外，铠侠在日本四日市也正在新建Fab7工厂，该工厂的建设分为两个阶段，第一阶段的建设计划于2022年春季完成，用于生产先进的BiCS FLASH。

作为全球NAND Flash排名第二的供应商，铠侠未来岩手县和四日市将成为其重要的两大NAND Flash生产据点，加码投资将可加快新厂的建设，助力NAND Flash产能的增加。

来源：公开信息

3D NAND技术竞争加剧，铠侠加码投资，助力162层技术发展，提高3D NAND产能

在3D NAND技术方面，三星、美光、SK海力士进入新阶段，尤其是进入100层堆叠以上，竞争更加激烈。其中美光和SK海力士率先在2020年底宣布推出176层3D NAND，三星也将在下半年推出基于双堆栈176层V7 NAND的产品。

铠侠与西部数据在2021年2月份也宣布开发出第六代162层3D NAND技术，与第五代（112层3D NAND）技术相比，容量密度提高10%，应用程序性能上可改善近2.4倍，读取延迟上提高10%，I/O性能也可提高66%。

此外，铠侠162层3D NAND技术可使单个裸片尺寸减小40%，每个Wafer晶圆生产的Bit量将增加70%。铠侠加码投资新建Fab工厂，将可配合先进的3D NAND技术，进一步提高NAND Flash产能，满足市场不断增长的存储需求，并稳固在市场上的地位。

看好市场需求，铠侠提高3D NAND产能满足需求，并为IPO上市添彩

虽然近期全球芯片短缺，以及印度“疫情”给终端市场需求带来不利影响，但全球智能手机的平均存储容量提升以及销量的恢复，极大的推动对了对NAND Flash的需求。此外，数据中心恢复了投资，服务器SSD需求回升，再加上虚拟货币挖矿、电竞产品等对SSD的需求，NAND Flash市场前景可观。

另一方面，2021上半年，苹果新款 iPad Pro从128GB起步，最高容量为2TB版本，下半年苹果iPhone 13系列可能会首次推出全新的1TB存储配置，将进一步推升终端产品对NAND Flash高容量的需求。

面对市场需求的增长，三星平泽P2工厂于2020年8月导入EUV技术批量生产16Gb LPDDR5之后，从2021年初开始已经导入NAND Flash产线设备，预计将在下半年开始批量生产，并极有可能进行第七代V NAND生产。

紧跟三星的步伐，铠侠自然也会加快投资的步伐，提高3D NAND产能满足需求。另一方面，铠侠虽然延后了IPO上市的时间，但上市计划未变，而不断扩大NAND Flash产能规模，也是为了增加资本，为IPO上市添彩。