三星在美建厂生变？传有意在韩国再建1个平泽园区，第8代V-NAND有望超200层

据韩国经济报导，因应韩国向企业表达“创造就业机会”的需求，三星半导体部门高层金奇南透露，有意在韩国建立第二座平泽园区。业界人士猜测，韩国京畿道平泽或安城，都可能是三星新厂的落址。

另外，据三星介绍，将在2021下半年展示基于第7代V-NAND的消费类SSD产品，还计划将第7代V-NAND导入到数据中心SSD产品中，在低功耗方面表现优异，而且下一代第8代V-NAND将可望超过200层，未来V-NAND的目标是超过1000层堆叠。

全球芯片短缺持续，三星扩大投资为后续供应吃下“定心丸”

近日，印度、越南、马来西亚、台湾地区等疫情反扑，不仅导致马来西亚几乎“全面封城”，台积电、京元电、力积电等多家台企厂区也陆续出现员工确诊，一度威胁到晶圆代工和封测产能，而不确定的因素影响，让业内人士普遍预估，全球芯片短缺的市况恐将持续到2022年。

三星平泽作为重要生产基地，目前P1已投入使用，平泽P2工厂于2020年8月导入EUV技术批量生产16Gb LPDDR5之后，2021年上半年开始导入晶圆代工和NAND Flash产线设备，预计将在下半年开始批量生产。与此同时，三星宣布正在新建平泽P3工厂，将于2022年下半年完工，采用EUV设备批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。

在先进技术方面，2021年三星持续扩大先进15nm DRAM和128L V-NAND的生产，以及加快14nm DRAM和176L V-NAND技术的升级，第8代V-NAND将超过200层堆叠，持续保持技术的竞争优势。

若三星再建一个同样规模的平泽园区，无疑是为后续产业供应吃下“定心丸”，并可稳固三星在半导体市场上的领导地位。不过，全球制造业竞争越演越烈，三星在美国投资还未定案，如今又在韩国投资新建园区，业内人士纷纷揣测，三星在美建厂计划是否将会生变。

全球制造业竞争越演越烈，三星持续扩大本土投资或是首要考量

之前中美、日韩贸易激化，再加上2020年一场突如其来的“疫情”打乱全球制造业链，各国已掀起了本土半导体制造业发展的浪潮，除了美国，也包括韩国、中国、日本等在内，都纷纷制定半导体制造业发展的计划与策略。

中国因为贸易战的激化，在国家政策扶持下，大基金领头推动中国半导体产业发展，从原材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试等全方面布局，并重点在存储领域加强核心技术的研发与芯片生产，提高企业市场影响力。

日本也宣布了完善半导体研究、生产体制的新战略，有意促进IBM、台积电等公司在日本建工厂，以及加强日本企业之间的合作，甚至在台积电日本芯片研究项目上，愿意支付一半的资金资助，用于开发最尖端的半导体制造技术，提高日本制造能力，强化半导体开发生产体制。

韩国在5月份公布了“K半导体战略”，计划是三星、SK海力士等153家企业将在未来10年投资510万亿韩元（约合4575亿美元），且韩国提供多项政策以支持半导体产业，目标将韩国建设成全球最大的半导体制造基地。

三星作为韩国核心企业，促进本土的半导体产业发展，是必要考量的因素，除了正在新建的平泽P3工厂，甚至已规划P4、P5…等工厂建设计划。同样作为韩国核心企业的SK海力士于2019年提出的龙仁半导体产业园区建设计划已获得批准，初期规划在龙仁半导体产业园区建设4座半导体工厂，三星再度加码韩国的投资也是情理之中。

美国大力发展制造业，但企业竞争激烈，三星投资项目尚未定案

三星5月份宣布加码对System LSI和Foundry领域的投资，将投资额扩大至171万亿韩元（约1534亿美元），较之前承诺的投资额，增加了38万亿韩元（约341亿美元）。三星加码投资是对后续产业前景乐观的肯定，然而投资据点却是扑朔迷离。

首先，是来自美国鼓励政策的“诱惑”。美国方面于上个月宣布批准拨款520亿美元的资金，将在今后5年内大力促进美国半导体芯片的生产和研究，同时积极吸引科技龙头企业在美建厂，其中英特尔计划投资200亿美元将在美国建造2座晶圆工厂，台积电投资120亿美元在美国亚利桑那州的工厂也已开工建设。

英特尔、台积电纷纷在美投资建厂，三星投资动向备受关注。此前消息称，因应美国制造业的鼓励政策，三星将在美国投资建厂，德州、纽约州及亚利桑那州都有可能，但目前尚未确定建厂地址。

三星在美投资建厂，无疑可以获得较为优越的政策扶持，但是在晶圆代工市场，台积电占据50%以上的市场份额，再加上英特尔加入代工行业，而且英特尔和台积电已确定在美建厂，竞争加剧使得投资风险增加。其次，三星在美国奥斯汀已设有芯片工厂，若跟风投资再建一座工厂，恐加剧市场供应过剩的风险，三星自然是要进一步深思熟虑。

总之，三星加码投资的步伐不会停歇，用于应对后续不断增长的芯片需求，至于在哪投资，则需要综合考量，以及视供需情况进一步研究。