东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

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    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。

    新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
    东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
    应用：
    - 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
    - 电动汽车充电站
    - 光伏变频器
    - 不间断电源（UPS）
     特性：
    - 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
    - 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
    - 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V