1000亿美元！美光官宣纽约芯片厂计划

国际电子商情10日讯 美光科技近日在官网宣布，公司计划在纽约州中部打造一个巨型晶圆厂，以促进存储芯片的生产。

据公告，美光计划在未来20年内投资1000亿美元，能为当地创造约50,000个就业机会。在美国克莱（纽约州）建造一座美国历史上最大的半导体制造设施，第一阶段的投资将在本十年末完成200亿美元。预计2023年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。

在项目周期内，纽约州还将为工厂提供55亿美元的资金激励，支持工厂招聘和资本投资。美光透露，纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV）光刻技术，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。

声明指出，这座工厂最终可能包含四个600,000平方英尺的洁净室——半导体工业生产厂房，总计面积能达到240万平方英尺，规模接近40个橄榄球场的大小，创美国半导体行业历史之最。

美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra此前表示，上述两家工厂将生产广泛用于数据中心、个人电脑和其他设备的DRAM芯片。