美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%

美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司” 已于 16 日在该市广岛工厂启动最高端的 DRAM 量产。

据美光介绍，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上，单颗裸片容量高达 16Gb。

1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备 —— 消费者在使用高能耗、数据密集型应用时，延长电池续航时间将至关重要。

全新 JEDEC 增强型动态电压和频率调节扩展核心（eDVFSC）技术使基于 1β 的 LPDDR5X 更加节能。在高达 3200 Mbps 的双倍频率层上添加 eDVFSC，可改善节能控制，从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。

最后，美光表示，美光于未来的一年中将在诸如嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等其他应用中量产 1β 节点，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。

据了解，广岛工厂是美光在 2013 年收购尔必达时所获，于 2019 年建设新厂房等，致力于尖端技术产品 DRAM 的生产。日本共同社消息指出，日本政府 9 月为夯实其半导体生产基础，宣布将最多补助 464 亿日元用于广岛工厂增强设备。

内存厂商上一代 DRAM 芯片通过为 1X、1Y、1Z 区分工艺，1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别。据业界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分别相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。