三星电子、SK 海力士的 3D DRAM 商业化加速

 三星电子和 SK 海力士——正在加速 3D DRAM 的商业化，据说这将改变内存行业的游戏规则。而在DRAM产业中第三的美光，自2019年就已经开始了3D DRAM的研究，获得的数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。

    据韩国半导体行业消息人士3月12日消息，三星电子和SK海力士的主要半导体高管近在半导体会议等一些活动中将3D DRAM作为克服DRAM微处理物理限制的一种方式。

    “3D DRAM 被认为是半导体行业未来的增长动力，”三星电子半导体研究中心副总裁兼工艺开发办公室负责人 Lee Jong-myung 在 3 月 10 日于首尔 COEX 举行的 IEEE EDTM 2023 上表示负责SK海力士未来技术研究所的SK海力??士副总裁Cha Seon-yong也在3月8日表示，“到明年左右，有关3D DRAM电气特性的细节将被披露，确定他们的发展方向。”

    2021年，韩国半导体厂商正式开始谈3D DRAM的开发。恰逢三星电子于 2021 年在其 DS 部门内建立了下一代工艺开发团队，开始研究。

    3D DRAM是一种具有新结构的存储芯片，打破了当前陈旧的范式。现有的 DRAM 产品开发侧重于通过减小电路线宽来提高集成度，但随着线宽进入 10 纳米范围，电容器电流泄漏和干扰等物理限制显着增加。为了防止这种情况，引入了高介电常数（高K）沉积材料和极紫外（EUV）设备等新材料和设备。但半导体行业认为，微型化制造10纳米或更先进的芯片将对芯片制造商造成巨大挑战。

    三星电子和SK海力士今年量产的DRAM线宽为12纳米。考虑到目前DRAM线宽微缩一纳米的现状，新结构DRAM的商品化将成为一种必然，而不是一种选择，三四年后。

    三星电子和SK海力士可能会加速3D DRAM技术的商业化。与现有的DRAM市场不同，3D DRAM市场并没有的，因此快速量产技术开发至关重要。还需要及时应对由于 ChatGPT 等人工智能 (AI) 的激活而导致的对高性能和大容量存储器半导体的需求增加。

    3D DRAM 领域的技术竞争也在升温。据半导体技术分析公司 TechInsights 称，在内存半导体市场第三的美光正积极准备蓝海市场，到 2022 年 8 月将获得 30 多项 3D DRAM 技术。相比不到 15 项 DRAM三星电子持有的和 SK 海力士持有的大约 10 项，美光获得的 3D DRAM 相关是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。三星电子和SK海力士分列全球DRAM市场和第二位。