Toshiba - 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线

 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。

    与采用前一代工艺的U-MOS VIII-H系列150V产品相比，新产品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外，产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。
    注：
    [1]降低了漏源导通电阻（典型值）×输出电荷（典型值），即开关应用的品质因数。
    TPH1400CQH：与现有产品TPH1500CNH（U-MOS VIII-H系列）相比下降约41%。
    TPN4800CQH：与现有产品TPN5900CNH（U-MOS VIII-H系列）相比下降约20%
    [2]在具有相同额定值的产品中进行比较，根据东芝调查（截至2023年1月）。
    应用
    ·通信设备电源
    ·开关电源（高效DC-DC转换器等）
    特性
    ·具有业界领先的低功耗特性[2]。
    （改善导通电阻与输出电荷之间的平衡）
    ·低导通电阻：
    TPH1400CQH RDS(ON)＝14.1mΩ（值）(VGS＝10V）
    TPN4800CQH RDS(ON)＝48mΩ（值）(VGS＝10V）
    ·高结温额定值：Tch（值）＝175°C