三星公布了工艺技术路线图

  根据外媒报道，三星 在 2023 年年度三星代工论坛 (SFF) 上公布了 更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025 年和 2027 年在其 2 纳米和 1.4 纳米级节点上生产芯片。此外，该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 GaN 芯片。
    三星预计其 SF2（2nm 级）制造技术可将功率效率提高 25%（在相同频率和晶体管数量下），将性能提高 12%（在相同功率和复杂性下），并将面积减少 5%该公司在 SFF 2023 上透露，与SF3（第二代 3nm 级）相比（在相同晶体管数量下）  。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 SoC，并于 2026 年跟进 HPC 增强型 SF2P 节点同时，SF1.4（1.4nm级）制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。
    为了使其 SF2 节点更具竞争力，三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 SF2 IP，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等接口。
    三星还计划在未来几年提供专门的制造工艺。其中包括 2027 年为汽车应用量身定制的 SF2A，以及 2025 年的 5nm 射频 (RF) 节点。与当前一代 14nm RF 工艺相比，即将推出的 5nm RF 预计将功率效率提高 40%，并将晶体管密度提高约 50% 。
    三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (GaN) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用，从消费电子产品到数据中心和汽车行业。