DDR4需求复苏缓慢,三星电子和SK海力士暂时维持高库存水平

 尽管 NVIDIA 推动的高带宽内存 (HBM) 前景良好，但随着三星电子和 SK 海力士的库存资产继续呈上升趋势，人们的担忧也在加剧。该库存大部分由较旧的双倍数据速率 (DDR) 4 组成，这使得两家公司都难以快速减少库存。
    根据金融监督院电子披露系统（DART）的数据，三星电子今年上半年的库存资产达55.5万亿韩元（415.3亿美元），增长6.3%，即3.33万亿韩元（24.9亿美元）。 ），较去年年底的 52.19 万亿韩元（390.5 亿美元）。同期，SK海力士的库存资产增长4.6%，从15.66万亿韩元（117.2亿美元）增至16.42万亿韩元（122.9亿美元）。
    近期，国内存储器行业预计在NVIDIA的带动下，人工智能（AI）半导体需求将激增。这是由于生成式 AI 市场的增长，预计将导致对集成到图形处理单元 (GPU) 中的高性能内存 HBM 的需求显着增加。事实上，据报道，在强劲性能的推动下，NVIDIA 计划从明年开始将用于 AI 的高性能 GPU 产量增加四倍。HBM 被广泛纳入人工智能领域使用的 GPU 中。
    因此，人们对三星电子和 SK 海力士（这两家公司都生产人工智能半导体必需的 HBM）性能提升的期望不断上升。事实上，HBM 市场主要由两家韩国公司主导。问题在于，两家公司的大部分库存资产都是 DDR4 DRAM（一种较旧的内存类型）。近期，由于担心供应过剩，内存企业纷纷减少DDR4的产量，但市场上仍存在库存过剩的情况。有分析师认为，NVIDIA的利好消息可能不会直接导致公司库存问题得到解决。
    终，生成式人工智能趋势驱动的 HBM 需求激增是巨大的。然而，人们预计，只有当通用个人电脑的需求恢复时，半导体行业状况才会真正反弹。要实现行业整体复苏，需要人工智能或超级计算机之外的多方面需求复苏。
    据市场研究公司DRAMeXchange称，通用PC DRAM产品的平均固定交易价格从去年12月的2.21美元（2,954韩元）下降至今年8月的1.30美元（1,737韩元）。这比 7 月份的 1.34 美元（1,791 韩元）下降了 2.99%。虽然上半年DRAM价格大幅下跌，但下半年跌幅有所放缓。然而，一些警告说，鉴于需求低迷，很难将其解读为明确的复苏信号。
    证券界有观察显示，第四季度DRAM价格可能出现反弹。KB证券预测，第四季度DRAM和NAND的固定交易价格将同步上涨。这一预期是基于智能手机和个人电脑公司正在进行的半导体库存调整，加上减产导致的供应减少，这可能有助于缓解供应失衡。
    有业内人士预测，由于DDR4需求复苏缓慢，三星电子和SK海力士可能暂时维持高库存水平。此分析基于以下事实：大部分库存由 DDR4 等较旧产品组成。因此，即使 HBM 和 DDR5 等新产品的需求增加，预计库存水平也可能不会大幅下降。