三星为西安 NAND 工厂撤出“236 层”卡

三星电子决定在其位于中国西安的 NAND 闪存工厂过渡到 200 层 NAND 工艺。生产属于第8代NAND的236层产品的举措被视为克服全球NAND需求低迷导致性能下降的战略步骤。
　　据业内消息人士 10 月 15 日透露，三星高管已批准其西安工厂的 NAND 工艺升级，并已开始广泛的扩张工作。三星已开始为这一转型采购的半导体设备，新机器预计将在今年年底交付。
　　三星电子西安工厂是该公司的海外存储半导体生产基地。自2014年建成以来，西安工厂于2020年扩建了第二家工厂，现已发展成为全球的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆。它占三星 NAND 总产量的 40% 以上。在此背景下，三星计划明年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的机器。
　　三星决定升级西安工厂主要出于两个原因。个原因是在NAND闪存市场状况没有出现复苏迹象的情况下，保持其在NAND市场的全球领先地位。去年年底开始的IT市场低迷和半导体市场疲软影响了三星的NAND业务，导致未售出库存增加，随后亏损扩大。
　　即使通过减产政策减产后，性能提升依然缓慢，促使其打出工艺升级牌。随着第8代产品的量产，不仅可以保证价格竞争力和需求，而且考虑到第8代比第6代有更多的工艺步骤，晶圆投入自然可以减少30%左右。这意味着市场需求和供应有平衡的潜力。
　　事实上，三星在4月份就正式宣布减产。作为第六代（128层）V-NAND主要生产基地的西安工厂开工率也大幅下降。由于传统产品（128层）市场需求有限，且无法确保价格竞争力，据了解，工厂整体开工率降至20%左右。
　　流程转变的另一个原因是美国暂时缓和了中国对三星和SK海力士的半导体法规。去年10月，美国政府要求授权向中国本土芯片生产基地出售美国制造的设备，用于制造128层以上、14纳米或更小的NAND闪存和18纳米或更小的DRAM。随着美国政府宣布对三星电子和SK海力士等跨国半导体公司实施为期一年的“临时”出口管制，国内半导体企业对工厂运营可能受到限制的担忧和焦虑加剧。
　　不过，当地时间10月13日，美国商务部工业与安全局（BIS）正式宣布，三星电子和SK海力士的中国工厂将豁免美国针对中国的半导体设备监管。随着美国政府的这一豁免监管公告，三星和SK的本土设备获准入境，让运营NAND工厂的三星松了一口气。