三星电子推出 HBM3E、Exynos 2400

三星电子于当地时间 10 月 20 日在位于硅谷的 McEnery 会议中心举办了“2023 年三星内存技术日”。会上，三星展示了多项突破性的内存解决方案，包括：引领AI技术创新的超高性能HBM3E DRAM Shinebolt；LPDDR5X CAMM2 将重新定义下一代 PC 和笔记本电脑 DRAM 市场格局；可拆卸AutoSSD，一种面向车辆的SSD，允许通过存储虚拟化进行分区使用。
　　三星电子内存业务总裁 Lee Jung-bae 透露，自 5 月份开始生产 12 纳米 (nm) DRAM 以来，该公司目前正在开发下一代 11 纳米 DRAM，目标是业界集成度。三星正准备推出 10 纳米以下 DRAM 的 3D 新结构，并计划将其单芯片容量扩展到 100 Gb 以上。
　　三星还首次推出了下一代 HBM3E DRAM Shinebolt。Shinebolt 可提供每个数据输入/输出引脚高达 9.8 Gbps 的高性能速率，这意味着处理速度超过每秒 1.2 TB。三星解释说，他们通过使用优化的非导电薄膜（NCF）技术填充芯片之间的间隙来实现完美的分层，这也增强了其热性能。
　　三星目前正在量产8层和12层HBM3产品，并已开始向客户提供下一代HBM3E样品。他们此前曾透露计划到 2025 年开发第六代 HBM 产品 HBM4。
　　10 月 5 日，三星还在硅谷举办的 Samsung System LSI Tech Day 2023 上推出了新款应用处理器（AP）Exynos 2400。与前身 Exynos 2200 相比，Exynos 2400 的中央处理器 (CPU) 性能提升了 1.7 倍，AI 性能提升了 14.7 倍。业界正在密切关注该芯片是否会集成到即将推出的产品中比如将于明年推出的 Galaxy S24。