SK 海力士:HBM产能已售罄

栏目:行业动态 发布时间:2023-10-30

 SK 海力士近表示,已售罄其计划从 2024 年开始生产的所有 HBM3E,这是一种用于人工智能 (AI) 的存储芯片
  SK海力士一位高管在日前的第三季度财报电话会议上表示:“我们不仅出售了HBM3,还出售了2023年HBM3E的全部产量。” 26 日,并补充说这家韩国芯片制造商正在收到客户的额外需求。他补充说,该公司还在与客户就 2025 年的产量进行谈判。
  目前,高带宽内存(HBM)是用于AI服务器的内存半导体,需求呈爆炸性增长。产品是HBM3E,它是HBM3的升级版。预计将为英伟达明年量产的 AI GH200 GPU 提供动力。
  此外,SK海力士预计,即使HBM3E的需求扩大,也不会拉低现有产品HBM3的平均售价(ASP)。这是因为 DRAM 的需求预计从 2024 年开始将真正复苏,并且 HBM3 的需求仍然强劲。
  因此,SK海力士计划在2024年比2023年增加投资,以应对不断扩大的需求。不过,公司考虑其投资重点,计划尽量减少投资的增加。由于半导体行业不景气,今年的投资比去年减少了50%。
  SK海力士第三季度销售额为9.622万亿韩元(70.88亿美元),营业亏损为1.792万亿韩元。其亏损较第二季度减少了1万亿韩元。这是由于其 DRAM 业务的利润。
  全球第二大内存芯片制造商SK海力士周四表示,计划加大对高带宽内存和DDR5等高价值DRAM芯片的投资,以适应人工智能市场的增长。
  “明年的资本支出将比今年有所增加。……我们将通过考虑投资效率和财务稳定性来限度地减少扩张,”SK海力士副总裁兼财务官金宇贤当天在公司财报会议上表示。
  早些时候,这家存储芯片制造商宣布,在芯片行业低迷之际,计划将今年的资本支出削减一半,而去年的资本支出为 19 万亿韩元(139 亿美元)。
  “在今年(投资)金额的范围内,我们正在根据产品优先顺序调整资本支出投资,”他说。“明年我们将更多地关注转换流程,而不是增加产能,并根据资本支出效率来运营我们的业务。”
  SK 将加大力度为高价值 DRAM 产品部署先进的芯片制造工艺节点,这可能会导致明年的需求上升。不过,该公司将维持对 NAND 的保守生产立场,目前库存仍处于较高水平。
  SK 还对引领 HBM 市场充满信心,同时预测未来五年年均增长率将达到 60% 至 80%。
  SK海力士相关人士表示:“随着市场对我们高性能内存产品的需求持续上升,我们的业绩在季度触底后稳步改善。”
  这位官员补充道:“重要的是,我们的 DRAM 业务在今年季度录得亏损,但在两个季度后录得盈余,这一点意义重大。”
  尽管 SK 海力士的 DRAM 业务有所复苏,但这家存储芯片制造商的股价周四收盘时较前一交易日下跌 5.88%,至 12 万韩元。
  HBM 是一种高容量、高性能半导体,由于它被用于为生成型人工智能设备、高性能数据中心和机器学习平台提供动力,因此其需求量正在飙升。
  其需求预计将进一步增长,因为该芯片与图形处理单元 (GPU) 一起使用,以增强生成式人工智能的能力,例如 ChatGPT,这是 OpenAI 开发的人工智能聊天机器人,被视为下一个将统治世界的重大事物。
  这两家韩国内存巨头,也是全球前两位的厂商,都在 HBM 芯片上下了重注,该芯片垂直互连多个 DRAM 芯片,与传统 DRAM 产品相比,可大幅提高数据处理速度。它们至少贵五倍。
  市场追踪机构 TrendForce 的数据显示,SK 海力士于 2013 年推出了全球首款 HBM 芯片,截至 2022 年,该公司在全球 HBM 市场中占据 50% 的份额。