DRAM 延伸到 NAND Flash涨幅明显

栏目:行业动态 发布时间:2023-11-28

内存价格的上涨趋势从 DRAM 开始,现在已扩展到 NAND Flash。减产和需求复苏相结合,实现了成功的扭亏为盈。预计三星电子和SK海力士的业绩改善步伐也将加快。
  市场研究公司TrendForce 11月9日表示,三星电子预计今年第四季度NAND价格将上涨10%至15%。预计明年上半年还会再增长 10% 至 20%。
  NAND价格的实际上涨已经开始。根据市场研究公司 DRAMeXchange 的数据,截至 10 月份,用于存储卡和 USB 设备的通用 128 Gb NAND 价格已上涨 1.59%。这是自 2021 年 7 月以来的首次反弹。
  尽管需求复苏仍然缓慢,但减产推动了价格上涨。由于无法承受亏本销售,供应商已将减产幅度扩大到低于成本的水平。事实上,据报道三星电子将在明年上半年将 NAND 产量削减幅度扩大到 40% 至 50%。
  SK海力士在上个月的第三季度财报电话会议上表示,“NAND库存高于DRAM。我们暂时将维持保守的 NAND 生产方式。”
  此外,智能手机和个人电脑的出货量也有增长的迹象。据KB证券预测,明年智能手机和PC出货量将比上年增长5%,分别达到12亿台和2.6亿台。
  对于智能手机而言,预期累积的换机需求以及中国手机市场需求的复苏将推动增长。至于PC,预计由于2025年停止支持“Windows 10”的影响,企业将出现更换PC的需求。
  尤其是美国持续实施的半导体制裁,导致中国移动企业增加库存,被视为利好因素。随着他们扩大订单,这支撑了价格上涨。
  随着DRAM价格上涨,NAND价格上涨,三星电子和SK海力士的财务业绩有望加速复苏。
  尽管截至今年第三季度,仅半导体行业的累计赤字就达到了 12.69 万亿韩元(96.8 亿美元),但三星电子预计将出现显着复苏。虽然根据证券公司的平均预测,今年全年营业利润的共识为7.23万亿韩元,但明年预计将飙升至33.9万亿韩元,增幅为368.7%。
  预计 SK 海力士的营业利润也将出现积极的转变。今年营业赤字的共识是8.43万亿韩元,而明年的预期是利润8.44万亿韩元。