三星电子在 NVIDIA AI 活动上推出全球首款 HBM3E 12 层

三星电子将在 Nvidia 的一场活动中进行突破性的展示，展示物理高带宽内存 (HBM) 3E 12 层 (H)，预计将于今年上半年量产。
　　HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下一代人工智能 (AI) 芯片 H200 和 B100，此次演示预计将为三星获得重要的供应协议铺平道路。 HBM3E。
　　3 月 5 日消息，三星电子将于 2 月 18 日至 21 日参加由 Nvidia 在美国圣何塞会议中心主办的全球的人工智能大会 GTC 2024。该公司计划展示一系列下一代内存产品，包括 Shinebolt HBM3E 品牌。
　　上个月，三星电子宣布成功开发出大容量36GB HBM3E 12层产品，标志着该产品首次向公众展示。
　　三星计划在今年上半年开始量产HBM3E产品。该产品预计将出现在Nvidia的下一代AI芯片H200和B100中。三星已经向英伟达发送了样品并开始了验证过程。
　　HBM 市场竞争日益激烈。市场研究公司报告称，虽然 SK 海力士和三星电子目前占据 HBM 市场 90% 以上的份额，但美国公司美光科技 (Micron Technology) 正在迅速迎头赶上。
　　此次活动中，SK海力士还将设立一个展位，展示自家的HBM3和HBM3E存储芯片。美光科技计划推出其24GB HBM3E 8层产品，该产品将用于Nvidia的H200芯片。