SK海力士凭借HBM3E在第五代HBM竞争中领先

继HBM3取得成功后，SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM，并将其供应给美国半导体公司Nvidia，巩固了其在高带宽内存（HBM）市场的主导地位。
　　3月19日，SK海力士宣布将于本月底向客户Nvidia供应高性能AI内存产品HBM3E，并为3月起Nvidia举办的AI开发者大会（GTC 2024）开始量产。 18日至21日。这距离SK海力士去年8月宣布开发HBM3E仅7个月。
　　SK海力士表示：“继HBM3之后，我们率先向客户提供HBM3E，它实现了现有DRAM中的性能。我们计划通过成功量产HBM3E来继续我们在AI内存市场的竞争优势。”
　　此前，美国美光公司于当地时间 2 月 26 日宣布，计划为 Nvidia GPU H200 提供 8 个堆栈的 24 GB HBM3E，该 GPU 预计将于今年第二季度（4 月至 6 月）推出，引起了业界关注。年。不过，据悉SK海力士是个量产并实际交付的。一位业内人士透露，“SK海力士从1月底开始生产HBM3E，并一直在与Nvidia一起测试该产品。美光已于二月底开始生产，但据了解，他们尚未达到足以交付的产量。” 业界对美光HBM3E产品的初始产量和产能存在很大疑问。
　　三大公司下一代HBM市场的决定性因素被认为是良率和堆叠方式。随着 DRAM 堆叠得越来越高，HBM 厚度也会增加，从而给热控制带来挑战。堆叠芯片时施加的物理压力也会导致弯曲问题。
　　为了克服这些挑战，三星电子和SK海力士采用了不同的堆叠方法。三星电子采用先进热压非导电薄膜（TC NCF）方法，在DRAM之间插入非导电粘合薄膜来粘合HBM，而SK海力士则采用先进大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）方法，它在工艺之间注入液体保护材料并使其硬化。
　　业内人士表示，“凭借在HBM3方面的技术优势，SK海力士有望在HBM3E市场上继续与Nvidia保持牢固的合作关系。然而，随着三星电子推出业界容量的 12 堆栈 HBM3E 作为游戏规则的改变者，高堆栈 HBM 的竞争预计将加剧。”
　　随着AI半导体市场的扩大，HBM销售额占DRAM收入的比例正在迅速增加。市场研究公司TrendForce预测，HBM销售额占DRAM总营收的比重将从2022年的2.6%上升至2023年的8.4%，今年将进一步升至20.1%。HBM的产能预计今年也将大幅增加。去年，三星电子和SK海力士每月生产约45,000片晶圆，但今年，三星电子的产量预计将增至130,000片，SK海力士的产量将增至120,000至125,000片。美光在 HBM 市场第三，预计去年每月生产 3,000 片晶圆，今年每月生产 20,000 片晶圆。