日韩芯片，压力大增

根据外媒报道，随着美国加大“自给自足”力度，日本积极发展先进代工生产，韩国半导体行业面临多重压力。
　　美国总统唐纳德·特朗普周四表示，对半导体产品的关税将“很快”开始，这引发韩国担忧，担心存储芯片可能成为华盛顿在岸化行动的下一个目标。
　　一天前，特朗普表示，关税赋予了美国巨大的谈判筹码，这增加了韩国企业被迫在韩国建立存储芯片制造工厂的可能性。
　　美国已经在芯片设计方面拥有优势，并通过正在亚利桑那州建设工厂的台湾台积电获得了前端和后端制造能力。然而，美国仍然依赖韩国的存储芯片生产。
　　韩国工业经济贸易研究院研究员金养邦表示：“美国目前只有一家主要的存储芯片制造商美光，需要扩大国内生产能力。”
　　尽管随着人工智能的蓬勃发展，对高带宽内存 (HBM) 等高性能存储芯片的需求不断增长，但美光在技术和生产能力方面仍然落后于三星电子和 SK 海力士。鉴于特朗普一再声称美国的半导体领导地位被韩国和台湾等国家“抢走”，韩国企业跟随台积电的脚步并投资美国存储芯片生产的压力可能会增加。
　　尽管 2023 年韩国半导体出口总额中只有 7.5% 流向美国，但其中近 79.6% 是存储芯片。随着美国国内芯片产量的增长，关税可能会进一步加重韩国存储芯片出口的负担。
　　日本也在加速重建其半导体主要参与者的地位。
　　代工初创公司 Rapidus 得到了日本政府和丰田等大公司的支持，计划到 2027 年量产 2 纳米芯片，目前正在与包括苹果和谷歌在内的 40 到 50 家全球公司进行谈判。
　　台积电预计将于今年晚些时候开始自己的 2 纳米芯片生产。 Rapidus 执行官小池敦义周六告诉日本新闻媒体日经新闻，两年的差距可以通过提高制造效率来弥补。
　　小池说：“我们可以将从订单到芯片生产和封装的周转时间缩短至当前标准的三分之一。” “原型改进速度很快，产量也在稳步提高。”
　　到目前为止，日本政府已向 Rapidus 投资了超过 1.8 万亿日元（123 亿美元），包括资本投入。
　　目前，三星电子所有的 DRAM 芯片都在韩国国内生产，SK 海力士在中国无锡运营着一条 DRAM 生产线，但 HBM 封装等先进工艺在韩国完成。 分析人士警告称，将高价值生产即便是部分转移到美国，也可能导致失业、削弱当地供应链，并引发对潜在技术泄露的担忧。
　　世宗大学商学院教授金大钟表示：“三星已宣布计划在龙仁的半导体产业集群投资 360 万亿韩元（2467 亿美元），但电力和供水等挑战依然存在。”
　　“为了鼓励企业在存在关税风险的情况下继续在韩国投资，政府必须提供大胆的政策支持，并确保稳定的投资环境。”