DRAM 供应商涨价 8 - 10%

1. DRAM市场：关税窗口期引发的库存博弈

　   根据集邦咨询的内存现货价格趋势报告价格走势　

   　现货价单周跳涨2.81%（DDR4 1Gx8 3200MT/s达1.720美元）

　　供应商集体调价8-10%，低价芯片涨幅尤甚
　　驱动因素
　　关税缓冲期效应：美国90天宽限期触发"安全库存"策略
　　备货模式转型：OEM厂商库存周转天数从45天增至60-75天
　　HBM技术红利：SK海力士凭借HBM3E产品斩获36%市占（超越三星）
　　2. NAND Flash市场：AI需求与关税政策的拉锯战
　　价格表现
　　512Gb TLC晶圆微跌0.04%（2.764美元）
　　企业级SSD合约价维持Q2涨幅
　　结构性变化
　　需求端：
　　数据中心采购暂缓（等待关税细则）
　　AI手机/PC备货季启动（256GB+容量需求增30%）
　　供给端：
　　三星/西数仍维持20%减产
　　长江存储扩产YMC 3.0技术产能
　　3. 技术变革与市场格局
　　DRAM领域
　　行业观察人士预计，HBM统治力：SK海力士HBM3E良率超80%（三星仅65%）
　　DDR5渗透：Q2占比达38%（较Q1提升5个百分点）
　　NAND领域
　　QLC崛起：企业级SSD中QLC占比突破25%
　　国产替代：长存232层产品获华为/联想订单
　　5. 后市预测与风险
　　上行因素
　　AI终端设备爆发（Gartner预测6440亿美元支出）
　　HBM产能持续吃紧（交货周期达20周+）
　　下行风险
　　关税政策落地不及预期

　　长江存储激进扩产打破平衡

（以上数据来源：TrendForce、Gartner、Counterpoint报告）