4 月存储芯片价格上扬：DRAM 涨 22%、NAND 升 11%

 根据媒体报道，4月市场数据显示，DRAM 和 NAND 价格显著上涨，其中 DRAM 固定交易价格涨幅高达 22%，达到每千兆字节 1.65 美元；NAND 闪存价格也上涨了 11%，达到每 128Gb2.79 美元。这一价格变化的背后，主要是 IT 设备制造商为应对美国政府引发的关税风险，急于增加芯片库存，从而推动了存储芯片采购需求的激增。
　　这一趋势对半导体行业的影响十分明显，尤其对三星电子和 SK 海力士等行业巨头的业绩预期形成了积极支撑。
　　先来看 SK 海力士，其 2025 年第一季度财报显示，该季度营收为 17.64 万亿韩元，环比下降 11%（较 2024 年第四季度的 19.77 万亿韩元），但同比增长 42%（较 2024 年第一季度的 12.43 万亿韩元）。环比下降主要受去年四季度因素影响，而同比增长则得益于内存市场需求的强劲复苏。营业利润达到 7.44 万亿韩元，环比下降 8%，同比增长 158%，营业利润率达 42%，这表明公司在成本控制与高端产品布局上成效显著。
　　具体业务方面，DRAM 业务营收环比实现高个位数增长，平均销售价格（ASP）持平。稳定的需求得益于 AI 服务器、PC 及智能手机市场的增长，特别是 AI PC 与服务器对高性能 DRAM 的需求推动了营收增长。ASP 持平说明市场竞争较为温和，公司在高端 DRAM（如 HBM）领域的定价能力较强。NAND 业务营收环比实现高两位数增长，不过 ASP 环比下降约 20%。增长主要由市场复苏及 Solidigm 业绩合并驱动，但 ASP 下降反映了 NAND 市场竞争加剧及供应增加的压力。eSSD（企业级固态硬盘）需求的增长为 NAND 业务提供了中长期动能。SK 海力士表示，二季度 DRAM 预计环比低两位数增长，NAND 预计环比增长超 20%（含 Solidigm），显示出对市场复苏的信心。此外，公司还启动了龙仁第一座工厂建设（2027 年投产）及 M15X 工厂建设（2025 年第四季度投产），以扩大高端内存产能。
　　再看三星电子，2025 年第一季度财务报告显示，该季度公司实现营收 79.14 万亿韩元，折合约 4011.61 亿元人民币，创下历史新高。利润方面，本季度营业利润达到 6.7 万亿韩元，较上一季度增长 2000 亿韩元。同时，公司在研发方面的投入持续增加，一季度研发支出高达 9 万亿韩元，折合约 456.21 亿元人民币，同比增长 16%。从业务板块来看，DX 部门受 Galaxy S25 系列旗舰智能手机热销推动，加上高端显示屏和生活家电产品销售比例上升，部门营收增至 51.7 万亿韩元，利润也提升至 4.7 万亿韩元。相比之下，DS 部门因高带宽内存（HBM）产品销售下滑，季度销售额环比下降 17%，为 25.1 万亿韩元。公司计划在本季度加大 “增强型 HBM3E” 内存的生产力度，并稳步推进 2nm 工艺技术的良率提升，以夯实下半年大规模量产的基础。三星在财报中表示，内存业务收入受到服务器 DRAM 销售增长和在市场价格触底的情况下满足额外 NAND 需求的推动。不过，整体芯片业务盈利受到平均售价下降的影响，同时销售额受到美国对 AI 芯片出口管制的影响。
　　在高带宽内存方面，SK 海力士在 DRAM 市场的崛起得益于其在 HBM 领域的主导地位。由于高带宽内存产品需求强劲，SK 海力士上周的季度收入和营业利润超过了预期。三星表示，由于客户期待其 HBM 产品的推出，HBM 需求也出现推迟。对于二季度，三星预计 AI 服务器的需求将持续强劲，并将寻求加强其在包括 HBM 在内的高附加值产品中的地位。三星内存业务执行副总裁 Jaejune Kim 在财报电话会议上还指出，在特朗普实施互惠关税之前，三星在第二季度采取了先发制人的采购活动。
　　业内认为，当前的高需求可能会持续，推动价格进一步上涨。尤其是在大型 PC 制造商采取措施提前备货的情况下，市场可能会迎来短期内的高涨势头。然而，投资者需警惕市场波动加剧的风险，特别是在全球供应链和政策变化的不确定性下，可能会对价格形成压力。