DDR6 内存单通道位宽提升 50%，2027 年或大规模普及

消息显示，JEDEC 正在紧锣密鼓地推进 DDR6 内存规范的准备工作。目前，三大 DRAM 内存原厂已经完成了 DDR6 原型芯片的设计。按照规划，新一代的 DDR 内存有望在 2026 年进行平台测试与验证，并于 2027 年正式进入大规模导入期。
　　从技术参数来看，DDR6 的性能有了显著提升。与已公布的 LPDDR6 规范类似，DDR6 的单通道位宽提升了 50%，达到了 96bit。同时，子通道划分也从 DDR5 时期的 2×32bit 细化为 4×24bit。在原生频率方面，DDR6 起步为 8800MT/s，有望达到 17600MT/s。这种位宽的提升和频率的增加，将大幅提高内存的数据传输速度和处理能力，为计算机系统带来更强大的性能支持。
　　DDR6 与 LPDDR6 位宽的同比变化，对于笔记本电脑 SoC 等采用双内存规范的平台来说，具有简化设计的优势。这意味着在这些设备上，内存的兼容性和性能表现将得到进一步优化。
　　在模组外形规格方面，由于 DDR6 对信号完整性和 I/O 设计提出了更高的要求，新兴的 CAMM 系预计将成为主流解决方案，逐渐取代传统的 DIMM 规格。CAMM 系的应用将更好地满足 DDR6 内存的性能需求，提升整个系统的稳定性和可靠性。