三星电子HBM产量首超SK海力士 全球存储芯片格局生变

出处：维库电子市场网 

在人工智能浪潮的持续推动下，全球高带宽存储器（HBM）市场竞争格局正迎来关键转折。数据显示，三星电子HBM月产能已达17万片晶圆，首次超越SK海力士的16万片，成为当前全球HBM产量的厂商。
　　产能逆袭背后的技术追赶
　　尽管SK海力士凭借为英伟达优先供货的先发优势，在今年上半年连续两个季度占据全球DRAM销售额榜首，但三星电子通过加速HBM3E和布局下一代HBM4技术，产能快速爬坡。行业观察指出，三星正通过扩大晶圆投片量和良率提升，逐步缩小与竞争对手的差距。
　　销售额与市场份额的拉锯战
　　2025年第三季度，三星电子DRAM销售额达139.42亿美元（环比增长29.6%），以34.8%的份额微弱领先SK海力士（137.9亿美元，34.4%）。值得注意的是，在HBM细分领域，SK海力士仍占据优势，其第二季度市场份额高达62%，远超三星的17%。但分析师预测，随着三星HBM3E明年通过大客户，其全球HBM份额有望突破30%。
　　存储巨头的AI竞赛新赛道
　　两家韩企合计占据全球DRAM市场近70%份额，竞争焦点已从传统存储转向AI专用高性能内存。SK海力士凭借先期绑定英伟达的优势持续领跑，而三星正通过全产业链整合加速反攻。这场围绕HBM的技术与产能博弈，或将重塑未来人工智能时代的存储芯片权力版图。