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MT41K128M16JT-125:KTR
MT41K128M16JT-125:K DDR3 256*16 4G内存芯片
KMFN60012B-B214
商品属性
品牌 三星
型号 KMFN60012B-B214
类型 存储器
存储容量 16GB
针脚数 TSOP48
封装 FBGA
品牌 三星
型号 KMFN60012B-B214
类型 存储器
存储容量 16GB
针脚数 TSOP48
封装 FBGA
KMFN60012M-B214
容量:8 GB
版本：eMMC 5.1
DRAM类型:LPDDR3
速度:1866 Mbps
版本：eMMC 5.1
DRAM类型:LPDDR3
速度:1866 Mbps
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
制造商: Micron Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
1360
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
1360
K4B2G1646F-BCNB
容量
2 Gb
架构
128M x 16
速率
2133 Mbps
工作电压
1.5 V
工作温度
0 ~ 85 °C
封装
96FBGA
2 Gb
架构
128M x 16
速率
2133 Mbps
工作电压
1.5 V
工作温度
0 ~ 85 °C
封装
96FBGA
MT53E512M32D2NP-046 WT:F
产品种类: SDRAM
存储容量: 16 Gbit
最大时钟频率: 2.133 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
类型: SDRAM Mobile LPDDR4
存储容量: 16 Gbit
最大时钟频率: 2.133 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
类型: SDRAM Mobile LPDDR4
KLMBG4GEAC-B001
KLMBG4GEAC-B001 BGA153球 EMMC4.5 32GB全新原装手机字库存储器
K4W4G1646D-BC1A
DDR3 256M16位内存单颗512M
K4B1G1646E-HCH9
K4B1G1646E-HCH9 DDR3 64*16 FBGA封装
SDINBDG4-8G-XI1
8GB NAND
SANDISK
BGA
FLASH-NAND
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40°C~+85°C
SANDISK
BGA
FLASH-NAND
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40°C~+85°C
NT5CC128M16JR-EK
128MX16 DDR3L
NANYA/南亞
脚位/封装 FBGA-96
电压(伏) 1.35v
温度规格 0°C~+95°C
速度 933 MHZ
标准包装数量 2090
NANYA/南亞
脚位/封装 FBGA-96
电压(伏) 1.35v
温度规格 0°C~+95°C
速度 933 MHZ
标准包装数量 2090