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MT52L512M32D2PF-107WT:B
MT52L512M32D2PF-107WT:B(D9SSF)镁光LPDDR3存储ic芯片
MT53E256M32D2DS-053WT:B
MT53E256M32D2DS-053 WT:B MICRON/镁光 存储器 LPDDR4 8GB
H5TQ4G63AFR-TEC
描述 DDR3
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC
NT5CB64M16FP-DH
NT5CB64M16FP-DH DDR3 1Gbit 128M内存芯片64*16
MT41K128M16JT-125:KTR
MT41K128M16JT-125:K DDR3 256*16 4G内存芯片
KMFN60012B-B214
商品属性
品牌 三星
型号 KMFN60012B-B214
类型 存储器
存储容量 16GB
针脚数 TSOP48
封装 FBGA
品牌 三星
型号 KMFN60012B-B214
类型 存储器
存储容量 16GB
针脚数 TSOP48
封装 FBGA
KMFN60012M-B214
容量:8 GB
版本：eMMC 5.1
DRAM类型:LPDDR3
速度:1866 Mbps
版本：eMMC 5.1
DRAM类型:LPDDR3
速度:1866 Mbps
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
制造商: Micron Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
1360
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
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