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MT52L512M32D2PF-107WT:B

MT52L512M32D2PF-107WT:B(D9SSF)镁光LPDDR3存储ic芯片

H5TQ4G63AFR-TEC

描述 DDR3
类型 256*16
存储技术 SDRAM
制造商 海力士
容量 4Gb
型号 H5TQ4G63AFR-TEC

K4W4G1646D-BC1A

DDR3 256M16位内存单颗512M

K4B1G1646E-HCH9

K4B1G1646E-HCH9 DDR3 64*16 FBGA封装

K4T51163QG-HCE6

32MX16 DDR2
SAMSUNG/三星

脚位/封装 FBGA-84
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0°C~+85°C
速度 333 MHZ
标准包装数量 1280

H26M52103FMR

16GB EMMC
SK HYNIX/海力士

脚位/封装 FBGA-153
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40°C~+85°C
标准包装数量 1600

H26M31001HPR

4GB EMMC
SK HYNIX/海力士

脚位/封装 FBGA-153
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0°C~+85°C
标准包装数量 1600

H9CCNNN8GTMLAR-NUM

256MX32 LPDDR3
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-178
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2V
温度规格 Mobile (-30°C~85°C)
速度 933 MHZ

H5TQ8G43BMR-PBC

2GX4 DDR3
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0°C~+95°C
速度 1600 MHZ

H5TQ4G83CFR-RDC

512MX8 DDR3
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0°C~+95°C
速度 1866 MHz
标准包装数量 1600

H5TQ4G83BFR-RDC

512MX8 DDR3
SK HYNIX/海力士
脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0°C~+95°C
速度 1866 MHz