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MT41K128M16JT-125:KTR
MT41K128M16JT-125:K DDR3 256*16 4G内存芯片
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
制造商: Micron Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
1360
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 256 M x 32
存储容量: 8 Gbit
最大时钟频率: 1.866 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MT53E
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
1360
MT53E512M32D2NP-046 WT:F
产品种类: SDRAM
存储容量: 16 Gbit
最大时钟频率: 2.133 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
类型: SDRAM Mobile LPDDR4
存储容量: 16 Gbit
最大时钟频率: 2.133 GHz
电源电压-最大: 1.1 V
类型: SDRAM Mobile LPDDR4
MT41K512M8RH-125 E
512MX8 DDR3/L
MICRON/美光
脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V/1.5V
温度规格 0°C~+85°C
速度 800 MHZ
标准包装数量
MICRON/美光
脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V/1.5V
温度规格 0°C~+85°C
速度 800 MHZ
标准包装数量
MT47H128M16RT-25E AATC
2Gb*16
DDR2-800
0C to +85C
MTSD256AKC7MS-1WTCS
256GByte micro SD card
-25C to +85C
-25C to +85C
MTFDKCC1T9TDZ-1AZ-B002
7400 2TByte U.3 70x100x15
MTFDHBE3T8TDF-1AW-B002
7300 4TByte 2.5 70x100x7
MTFDHBA512TDV-1AZ-B004
2300 512GByte M.2 22x80x2.3
MTFDHBA512QFD-3AX-BD51
2210 512GByte M.2 22x80x2.3
MTFDHBA2T0TDV-1AZ-B004
2300 2TByte M.2 22x80x2.3
