K4B1G0846I-BYMA
K4B1G0846I-BYMA
产品概述
| 制造商IC编号 | K4B1G0846I-BYMA |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX8 DDR3 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | -40°C~+85°C |
| 速度 | 933 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| 潜在应用 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 10th Generation |
上一个：
K4B1G0846I-BYNB
下一个：
K4B1G0846I-BMMA