投资逾100亿美元，南亚科建厂扩增DRAM产能，并将导入EUV设备

2021年以来，DRAM市场持续供不应求，并推动市场价格行情向上，在市况大好的背景下，DRAM厂南亚科宣布投资新建双层无尘室12英寸先进晶圆厂，计划2021年底动工，以扩大DRAM产能满足未来市场不断增长的需求。

据悉，南亚科将在新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室12英寸先进晶圆厂，规划工厂将采用南亚科10nm级制程技术生产DRAM芯片，及规划内置EUV极紫外光刻设备生产，月产能约4.5万片。南亚科投资建厂项目规划以7年分三阶段投资，将于2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产，总投资金额约为3000亿元新台币（约107亿美元）。

目前南亚科已成功开发出10nm级DRAM制程技术，预计第一代10nm级8Gb DDR4将在2021下半年开始送样，第二代10nm级制程技术及产品预计第三季导入试产，并开始向DDR5及LPDDR5等下世代产品推进。同时，为了持续推进DRAM技术的发展，南亚科2021年规划资本支出预算不超过156亿元新台币（约5.5亿美元），其中包括10nm级生产设备、研发及一般性等资本支出。

南亚科认为，DRAM需求成长，尤其是手机、PC、服务器等市场需求较为明显，再加上5G及人工智能、自动驾驶等技术的发展，就目前市况来看供给缺口可能持续两季以上，预计2021上半年DRAM市场将持续供不应求。DRAM业界甚至普遍预期，DRAM供不应求市况可能会延续到2022年。

据Gartner数据，2021年一季度全球个人电脑（PC）出货量同比增长 32%，同时预估2021年全球智能手机销售将增长11.4%达15亿部，全球IT支出也将较2020年增长8.4%，有望恢复到疫情导致全球经济陷入停滞之前的企业IT增长速度。

正因为市场需求呈现增长趋势，南亚科目前产能满载，2021年第一季营收177.31亿元新台币，季增20.05%，年增22.97%，为近10季高点，预估第二季出货量将持平第一季，DRAM价格则将续扬，在涨价与产品组合改善等因素带动下，第二季营运会持续成长，并预期供给吃紧情况将持续至年底。