合肥长鑫作为国内唯一的 DRAM 芯片存储基地，近两年来一直保持低调且稳健的前行步伐。今日，合肥长鑫传来好消息，第二期 12 寸厂房举行奠基仪式。据了解，这座新厂房是为了未来进入 1y nm 以下的工艺节点（接近 15nm 工艺）做长远布局。合肥长鑫目前第一期 12 寸晶圆厂正在全力投产，要从月产能 4 万片拉升至 6 万～7 万片，而第一期厂房的满载产能可以达到 10 万～11 万片。再者，合肥长鑫目前量产的工艺技术为 19nm（也称作 10G1 技术节点）。
合肥长鑫今日举行奠基仪式的第二期厂房，主要是为了未来更先进的工艺技术做前期准备工作。根据长鑫规划，第一个量产的工艺节点是 19nm（10G1工艺），目前正在研发 17nm（10G3工艺），中间跳过 10G2 工艺。之后是研发10G4工艺节点，大概接近国际大厂的 15nm 或是 1y nm 工艺。而这个二期的厂房，主要会生产 10G4 工艺技术以下的芯片产品。根据国际大厂在 DRAM 工艺技术的推进计划上，20nm 以下工艺命名为 1x、1y、1z。首先，1x nm 技术节点大概是指 17nm～19nm 工艺生产的 DRAM 芯片; 1y nm 是指 14nm～16nm 工艺，而 1z nm 则是 11nm～13nm 工艺技术。整体来看，合肥长鑫的 DRAM 芯片自主研发之路是从 19nm 工艺切入。 2019 年 19nm 工艺的 DDR4、LPDDR4 存储芯片陆续量产，也有不少国内厂商导入使用，奠定了自主技术研发第一步的根基。按公司规划，2021 年将完成 17nm 工艺 DDR5 和 LPDDR5 芯片的研发进度。朝自主研发与扩充产能的同时，合肥长鑫的前方，是机会与挑战同步迎面而来。作为一个从零开始，从无到有的产业新势力，面对国际政经情势的严峻挑战，合肥长鑫成立这 5 年来，感受应是如履薄冰。合肥长鑫一旦成功，立刻拿下全球除了三星、SK 海力士、美光三大巨头之外的第四大 DRAM 芯片大厂的入场券。合肥长鑫有技术、有产能、有资金，但是也有“敌人”。
DRAM 产业在全球半导体领域是一个很封闭的市场，现存的三星、SK海力士、美光一路上是砍了多少的敌人、发动多少疯狂扩产战和流血杀价战才能收割今天这寡占市场的格局。过去这 30 年来，日本东芝、日立、三菱、NEC、尔必达、德国奇梦达、台湾茂德等纷纷退出。更关键的是，仅存的这三大 DRAM 供应商三星、SK 海力士、美光的最大新兴市场业务都是来自中国。试想，如果中国的 DRAM 芯片能自给自足，这三大巨头心里肯定不是滋味。因此，合肥长鑫从立项的第一天起，前方的挑战自然也不会少。美系存储大厂美光更是将合肥长鑫视为眼中钉、肉中刺。根据市调机构统计，全球 DRAM 大厂排名中，三星市占 42%、SK 海力士 30%、美光 23%。英特尔代号为 Sapphire Rapids 的下一代 Xeon Scalable 处理器将支援 DDR5。三星计划在今年下半推出 DDR5 产品，未来 DDR5 芯片将逐渐渗透进入 PC、服务器领域; 美光也采用第三代 1z nm 工艺打造的 DDR5 芯片，并提出 DDR5 “技术应用支援计划”（Technology Enablement Program, TEP），携生态系伙伴为支援 DDR5 平台做暖身。这次二厂举行奠基仪式，许多业界人士都在讨论：机台设备要不要拉快一点？多少透露着些许担心。截至目前，长鑫购买美系设备都很顺利，没有任何问题，但大家多少希望速度能快些。现在先进的逻辑芯片和存储芯片都是绕不开美系设备，更何况 1x nm 工艺以下的 DRAM 技术，更是需要美系设备才能生产。业界难免会帮长鑫担心，未来设备的进口会不会受到不合理的刁难。合肥长鑫是 2016 年成立于安徽合肥，2020 年底，国内半导体产业挑战备至的时刻，顺利完成 156 亿元融资，获得大基金二期、安徽国资、兆易创新、小米长江产业基金等支持。在自主研发的过程中，长鑫透过许多方式绕过专利壁垒，包括收购之前德系 DRAM 存储大厂奇梦达的专利，获得了 1,000 多万份 DRAM 技术文件及 2.8TB 的数据，并在此基础上改进并研发。再者，长鑫也与美国半导体公司 Rambus 签署了专利许可协议。根据双方的协议，长鑫存储从 Rambus 获得了大量 DRAM 技术专利的实施许可。
