SK 海力士开启 321 层 QLC NAND 闪存量产新篇章

　海力士此次全球率先完成 300 层以上的 QLC NAND 闪存开发，该产品拥有现有的 NAND 闪存产品中的集成度。为了提升成本竞争力，SK 海力士将其开发为容量相较于现有产品翻倍的 2Tb 产品。然而，一般情况下，NAND 闪存容量越大，单元中储存的信息越多，存储器管理也越复杂，这会导致数据处理速度变慢。为解决这一问题，SK 海力士将 NAND 闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，有效提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。
　　得益于这一创新架构，该产品不仅实现了高容量，而且性能相较于以往的 QLC 产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能多提升了 56%，读取性能提升了 18%。同时，数据写入能效也提高了 23% 以上，这使得该产品在需要低功耗的 AI 数据中心等领域具备了更强的竞争力。
　　市场应用规划
　　海力士计划首先将 321 层 NAND 闪存应用于电脑端固态硬盘（PC SSD），随后逐步拓展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，SK 海力士还将基于堆叠 32 个 NAND 晶片的独有封装（32DP）技术，实现比现有产品高出一倍的集成度，正式进军面向 AI 服务器的超高容量 eSSD 市场。
　　企业展望
　　海力士 NAND 开发担当郑羽杓副社长表示，此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的 AI 需求和数据中心市场的高性能要求，SK 海力士将以 “全方位面向 AI 的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）” 的姿态，实现更大的飞跃。