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K4E6E304EC-EGCG
容量 16 Gb 架构 x32
速率 2133 Mbps 工作电压 1.8 / 1.2 / 1.2 V
工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 178FBGA
H9HCNNNBKUMLHR-NM0
1GX16 LPDDR4
电压1.1 V
温度 -40°C~+105°C
速度 1866 MHz
脚位 FBGA-200
电压1.1 V
温度 -40°C~+105°C
速度 1866 MHz
脚位 FBGA-200
H9HCNNNBKUMLHR-NMN
Die Density 2GB
Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ) 1.8V / 1.1V / 1.1V
Speed 3733Mbps
Package 200Ball
Product Status MP
Organization x16
Temperature -40~95C
Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ) 1.8V / 1.1V / 1.1V
Speed 3733Mbps
Package 200Ball
Product Status MP
Organization x16
Temperature -40~95C
K4E6E304ED-EGCG
容量 16 Gb 架构 x32
速率 2133 Mbps 工作电压 1.8 / 1.2 / 1.2 V
工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 178FBGA
速率 2133 Mbps 工作电压 1.8 / 1.2 / 1.2 V
工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 178FBGA
K4F2E3S4HM-MGCJ
品牌：Samsung
型号：K4F2E3S4HM-MGCJ
规格：12Gbit LPD4
封装：200ball
型号：K4F2E3S4HM-MGCJ
规格：12Gbit LPD4
封装：200ball
KLMDG4UCTB-B041
制造商IC编号 KLMDG4UCTB-B041
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 128GB EMMC
产品详情
脚位/封装
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.8V/3.3V
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-EMMC
IC代码 128GB EMMC
产品详情
脚位/封装
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.8V/3.3V
KLMBG2JETD-B041
32GB EMMC
SAMSUNG/三星
FBGA-153
FLASH-EMMC
SAMSUNG/三星
FBGA-153
FLASH-EMMC
K4A4G165WF-BCTD
K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
256MX16 DDR4
SAMSUNG/三星
DDR4 SDRAM
256MX16 DDR4